2012年专利申请
1. 发明人：吴永刚，刘仁臣，夏子奂，唐平林，“薄膜硅太阳能电池的背散射表面及其制备方法”，专利申请号：201110342263.7
2. 张晓青，游琼，娄可行，“具有压电系数d31的压电驻极体功能膜的制备”，申请发明专利号：201210005276.X，申请日期2012年1月10日。
3. 张晓青，张欣梧，娄可行，游琼，“小型压电驻极体薄膜制备装置”，申请发明专利号: 201210150514.3, 申请日期：2012年5月16日。
4. 张晓青，张欣梧，“一种薄膜扬声器及其制作方法”，申请发明专利号：201210288509.1申请日期: 2012年8月15日。
5. 张晓青，张欣梧，游琼，“一种可伸缩性压电功驻极体功能膜的制备方法”，申请发明专利号：201210303673.5 ，申请日期:2012年8月24日。
6. 宫香山，张晓青，宫继业，“聚合物电介质静电极化装置及其静电极化方法”，申请发明专利号：201210207002.9，申请日期：2012年6月21日。
7. 宫香山，张晓青，宫继业，“聚四氟乙烯机电能量转换功能膜的连续化生产工艺”，国际申请号：PCT/CN2012/076329，申请日：2012年5月31日，优先权日：2011年8月10日。（注：相同发明国内专利申请情况见2011年申请专利1）
8. 张增星，郭赟娴，“一种无催化剂大面积制备石墨烯的方法”，申请号：201210468965.4，申请时间：2012年11月20日
9. 郭赟娴，王晓娟，张增星，“利用光刻胶制备石墨烯/石墨图案的方法”，申请号：201210519884.2，申请时间：2012年12月7日
10. 翟继卫，白王峰，沈波，“一种钡钙锆钛无铅压电织构厚膜及其制备方法”，申请日期：2012年01月05日，申请号：201210002197.3。
11. 翟继卫，唐林江，沈波，“一种介电可调的低温共烧陶瓷材料及其制备方法”，申请日期：2012年04月18日，申请号：201210115855.X。
12. 沈波，孙明成，翟继卫，“一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料”，申请日期：2012年5月21日，申请号：201210158661.8。
13. 翟继卫，郝继功，沈波，“一种无铅电致伸缩陶瓷材料及其制备方法”，申请日期：2012年07月19日，申请号：201210251531.9。
14. 沈波，白王峰，翟继卫，“一种无铅压电织构陶瓷材料及其制备方法”，申请日期：2012年07月16日，申请号：201210246272.0。
15. 沈波，汪金文，翟继卫，“一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料的制备方法”，申请日期：2012年07月20日，申请号：201210254299.4。
16. 翟继卫，胡益丰，孙明成，“一种用于低功耗高可靠性相变存储器的掺氧纳米薄膜材料及其制备和应用”，申请日期：2012年08月23日，申请号：201210302541.0。
17. 翟继卫，边延龙，王辉，“一种以MgO为缓冲层的钛酸锶钡薄膜的制备方法”，申请日期：2012年08月21日，申请号：201210303607.8。
18. 翟继卫，周歧刚，“一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法”，申请日期：2012年07月11日，申请号：201210333374.6。
19. 翟继卫，胡益丰，孙明成，“一种Al-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用”，申请日期：2012年09月12日，申请号：201210337309.0。
20. 沈波，孙明成，翟继卫，胡益丰，“一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用”，申请日期：2012年09月27日，申请号：201210366405.8。
21. 翟继卫，唐林江，“一种高介电可调和可控介电常数的2-2复合结构陶瓷材料及其制备方法”，申请日期：2012年11月28日，申请号：201210496963.6。
22. 吴广明，张丽峰，杨辉宇，高国华，王际超，“一种薄膜三电极测试装置”，申请号：201220306657.7，申请日：2012.6.27
2012年授权专利
1. 顾牡、方弘、刘波、刘小林、黄世明、倪晨，“用于中子共振透射谱测温数据处理分析的系统和方法”，发明专利申请号：201010533348.9，公开号： CN102466527A，公开日： 2012.05.23；
2. 顾牡、黄世明、金鑫杰、刘小林、官周国、张志斌，“高发光强度的铽激活硅酸盐玻璃及其制备方法”, 发明专利申请号：201010510977.X，公开号：CN102452793A，公开日：2012.5.16。
3. 顾牡、姚达林、刘小林、刘波、黄世明、倪晨，“微柱结构CsI(Tl)X射线闪烁转换屏的制备方法及其应用”, 发明专利申请号：201110442455.5，公开号：CN102496400A，公开日：2012.06.13。
4. 顾牡、夏明、刘小林、刘波、黄世明、倪晨，“伽玛碘化亚铜超快X射线闪烁转换屏的制备方法”，发明专利申请号: CN201210282563.5 申请日：2012.09.20，公开号：CN102787296A，公开日：2012.11.21
5. 翟继卫，张景基，莫伟锋，丁西亚，“介电可调的Ba1-xSrxTiO3-MgAl2O4两相复合微波陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2008 1 0036353. 1，授权公告日：2012年01月25日，证书号：第900444号。
6. 翟继卫，郝喜红，“一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法”，专利号：ZL 2009 1 0051917. 3，授权公告日：2012年07月25日，证书号：第1014653号。
7. 翟继卫, 张景基, 张明伟, “一种高Q电可调Ba1-xSrxTi1-yMnyO3陶瓷介质材料及其制备”，专利号：ZL 2009 1 0046634. X，授权公告日：2012年07月04日，证书号：第994344号。
8. 翟继卫，姜海涛，“介电可调的两相复合微波陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2009 1 0046587. 9，授权公告日：2012年07月04日，证书号：第996611号。
9. 翟继卫，周歧刚，“一种钛锡酸锶薄膜的用途”，专利号：ZL 2010 1 0110227. 3，授权公告日：2012年07月25日，证书号：第 1014166号。
10. 翟继卫，汪昌州，“一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料”，专利号：ZL 2010 1 0117894. 4，授权公告日：2012年07月25日，证书号：第1011090号。
11. 翟继卫，付芳，丁西亚，“一种无铅压电织构厚膜及其制备方法”，专利号：ZL 2009 1 0046632. 0，授权公告日：2012年08月22日，证书号：第1028278号。
12. 翟继卫，姜海涛，沈波，“低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法”，专利号：ZL 2009 1 0046588. 3，授权公告日：2012年08月22日，证书号：第1026715号。
13. 翟继卫，张明伟，张景基，“介电可调的钛酸锶钡基复合钨酸盐微波介质材料及其制备”，专利号：ZL 2009 1 0195365. 3，授权公告日：2012年08月22日，证书号：第1027304号。
14. 沈军，李秀妍，杜艾，关大勇，张志华，周斌，吴广明，高国华，“葡萄糖还原络合剂分散的纳米银的制备方法”，申请号：201110123232.2，申请日：2011.5.13，公开日：2012.9.28
15. 李秀妍，沈军，关大勇，左超越，王介东，吴於人，张志华，“一种人体反应时间检测装置及方法”，发明人：申请号：201010600430.9，申请日：2010.12.22，公开日：2011.4.20
16. 杜艾，周斌，朱秀榕，许维维，张志华，高国华，沈军，倪星元，吴广明，“一种高比表面积稀土氧化物纳米多孔气凝胶的通用制备方法”。专利号：201210177112 专利申请日：2012.06.01 ，公开（公告）日：2012.09.26
17. 沈军，李秀妍，张丽峰，杜艾，吴建栋，张志华，高国华，“一种水系中合成纳米银/二氧化硅核壳粒子的方法”，申请号：201210149263.X，申请日：2012.5.15，公开日：2012.9.19
18. 吴广明、高国华、梁田、张增海、史继超、沈军、周斌、倪星元、张志华，“一种提高WO3薄膜气致变色循环性能的方法”，申请号：200910055301.3专利号：ZL200910055301.3授权日2012.5.23
19. 吴广明，孙娟萍，张明霞，沈军，周斌，倪星元，张志华，“新型纳米材料V10O24.12H2O的制备方法”，申请号：200910051954.4 ，2009.5.26专利号：ZL200910051954.4授权日2011.9.14
20. 沈军，韩伟娜， 吴广明，周斌，倪星元，张志华，牛锡贤，“一种锂离子纽扣电池及其制备方法”，申请号：200810200850.0 2008.10.07专利号：ZL200810200850.0授权日2011.6.22
21. 李海洋，王蓬春，李子莹，张冶文，陈鸿，李宏强，赫丽，“一种基于左右手复合传输线和谐振环耦合的带通滤波器”，专利号：ZL200810034701.1， 授权时间：2012年05月23日。